Metallchalkogenid-Dünnschichtelektrode, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallchalkogenid-Dünnschichtelektrode, umfassend die Schritte: (a) Inkontaktbringen eines Metalls oder Metalloxids mit einem elementaren Halogen in einem nicht wässrigen Lösungsmittel unter Erzeugung einer Metallhalogenidverbindung in der Lösung, (b) Anlegen einer negativen elektrischen Spannung an einem elektrisch leitenden oder halbleitenden Substrat, das in Kontakt mit der Lösung aus Schritt (a) steht, und (c) während und/oder nach Schritt (b) Inkontaktbringen des Substrats mit einem elementaren Chalkogen unter Ausbildung einer Metallchalkogenidschicht auf dem Substrat. Die Erfindung betrifft weiterhin eine mit dem Verfahren herstellbare Metallchalkogenid-Dünnschichtelektrode sowie ihre Verwendung als Anode zur Sauerstofffreisetzung bei der (photo)elektrochemischen Wasserspaltung.