Strahlung emittierender Halbleiterchip

摘要

In mindestens einer Ausführungsform weist der Strahlung emittierende Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer Strahlung auf. Eine für die Strahlung durchlässige Stromaufweitungsschicht (3) befindet sich an einer Strahlungsaustrittsseite (25) der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine Isolierschicht (4) befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Stromaufweitungsschicht (3). Ein Spiegel (5) für die Strahlung ist zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Stromaufweitungsschicht (3) angebracht. Eine metallische, elektrische Kontaktstruktur (6) befindet sich an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Stromaufweitungsschicht (3). Die Stromaufweitungsschicht (3) überdeckt dabei den Spiegel (5) und die Isolierschicht (4) vollständig.