发明名称 基板基准孔之加工方法
摘要
申请公布号 TWI488555 申请公布日期 2015.06.11
申请号 TW102105050 申请日期 2013.02.08
申请人 依斯特恩股份有限公司 发明人 松泽主
分类号 H05K3/04;H05K3/30 主分类号 H05K3/04
代理机构 代理人 郑再钦 台北市中山区民生东路3段21号10楼
主权项 一种基板基准孔之加工方法,包含:穿孔开设贯通孔于其绝缘树脂基材两面具有导电层之基板的开孔程序;充填用以埋填该贯通孔的充填剂,以封闭该贯通孔的程序;研磨该充填剂,而与形成于该基板两面的导电层全面均匀平坦化的程序;在基板两面连续施行无电解金属镀及电场金属镀,以形成覆盖该充填剂之第1、第2导电层的程序;将积层于该充填剂层的第1导电层蚀刻去除,以形成第1导体图形,同时形成第1开口图形以露出垫底的该充填剂层的程序;将该第2导电层蚀刻去除,以形成露出垫底之该充填剂层的第2开口图形,而形成对向于该第1开口图形之第2导体图形的程序;从该第1导体层侧以该第1导体层为光罩,将雷射光沿该第1开口图形之缘部照射扫描露出于该第1开口图形之该充填剂层而去除,以形成该第2导体层为底部之有底沟的程序;及押压该有底沟所包围之至少该充填剂层及积层有该第2导体层的基板不需要部份而去除,以形成基板基 准孔的程序;其中该基板基准孔尺寸与位置,系决定于去除该充填剂层后之该有底沟上形成有该第1开口图形之该第1导电层的孔之尺寸与位置。
地址 日本