HALBLEITERVORRICHTUNG MIT REKOMBINATIONSBEREICH

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst eine Driftzone (120) in einem Halbleiterkörper (100). Ein Ladungsträgertransferbereich (115) bildet einen pn-Übergang (117) mit der Driftzone (120) in dem Halbleiterkörper (100). Eine Steuerstruktur (180) verbindet elektrisch einen Rekombinationsbereich (190) mit der Driftzone (120) während eines Entsättigungszyklus und trennt den Rekombinationsbereich (190) von der Driftzone (120) außerhalb des Entsättigungszyklus. Während des Entsättigungszyklus reduziert der Rekombinationsbereich (190) ein Ladungsträgerplasma in der Driftzone (120) und reduziert Rückwärtserholungsverluste, ohne nachteilhaft Sperreigenschaften zu beeinträchtigen.