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<p>복수의 라인들을 갖는 집적 회로 디바이스가 설명되며, 라인들의 폭 및 인접하는 라인들 간의 간격은, 디바이스를 제조하는데 있어 포함되는 포토리소그래픽 프로세스들 또는 다른 패터닝 프로세스들로 인한 변동들과 독립적인 작은 범위 내에서 변화한다. 라인들에 대한 에칭 마스크를 형성하기 위한 순차적 측벽 스페이서 형성 프로세스가 설명되며, 이 프로세서는 교번 방식으로 배치된 측벽 스페이서들의 제 1 세트 및 제 2 세트를 가져온다. 이 순차적 측벽 스페이서 프로세스의 결과로서, 복수의 라인들에 걸친 라인들의 폭들 및 인접하는 라인들 간의 간격에서의 변동은 측벽 스페이서들의 디멘젼들에서의 변동들에 의존한다. 이들 변동은 패터닝 프로세스에 의해 야기된 중간 마스크 엘리먼트의 사이즈에서의 변동과 독립적이며, 이 변동보다 분포적으로 훨씬 더 작게 제어될 수 있다.</p> |
