碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明的碳化硅半导体装置的制造方法按以下顺序包括：在含有包含氮及氧的分子的气体环境下，以1150℃以上的温度将SiC基板的一个表面进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，在该过程中向SiC基板的一个表面导入高浓度的氮；第二工序，通过蚀刻将热氧化膜从SiC基板的一个表面上去除后，通过将所述SiC基板的一个表面暴露在自由基中，在被导入到SiC基板的一个表面的高浓度的氮中将被导入到SiC的晶格中的氮保留的同时，将在SiC基板的一个表面上形成的Si-N结合体及C-N结合体去除，从而在SiC基板的一个表面上形成高浓度n型SiC层；以及第三工序，在SiC基板的一个表面上形成欧姆电极层。通过本发明，不实施高温退火工序，便能够在SiC层的表面上形成欧姆电极层。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：第一工序，在含有包含氮及氧的分子的气体环境下，以1150℃以上的温度将SiC基板的一个表面进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，在该过程中向所述SiC基板的一个表面导入高浓度的氮；第二工序，通过蚀刻将所述热氧化膜从所述SiC基板的一个表面去除后，通过将所述SiC基板的一个表面暴露在自由基中，在被导入到所述SiC基板的一个表面的高浓度的氮中将被导入到SiC的晶格中的氮保留的同时，在向所述SiC基板的一个表面导入高浓度的氮的过程中将在所述SiC基板的一个表面上形成的Si‑N结合体及C‑N结合体去除，从而在所述SiC基板的一个表面上形成高浓度n型SiC层；以及第三工序，在所述SiC基板的一个表面上形成欧姆电极层。