| 发明名称 | 液晶显示器下基板的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种液晶显示器下基板的制备方法，包括如下步骤：提供玻璃基板；在玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；在栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；在栅极氮化硅层上形成栅极；在栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；采用CF<sub>4</sub>刻蚀层间氧化硅层，采用C<sub>2</sub>HF<sub>5</sub>刻蚀层间氮化硅层和栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；在过孔内形成源漏电极。上述制备方法将第二多晶硅层直接氧化成栅极氧化硅层和改进过孔刻蚀方法，可以使液晶显示器下基板的平带电压漂移较小、以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少。此外，改进后的过孔刻蚀工艺也较简单，过孔品质较高。 | ||
| 申请公布号 | CN104701255A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201510120039.1 | 申请日期 | 2015.03.18 |
| 申请人 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 发明人 | 张帆;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供玻璃基板；在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；在所述栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；在所述栅极氮化硅层上形成栅极；在所述栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；采用CF<sub>4</sub>刻蚀所述层间氧化硅层，采用C<sub>2</sub>HF<sub>5</sub>刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；在所述过孔内形成源漏电极。 | ||
| 地址 | 516000 广东省惠州市仲恺高新区仲恺大道666号科融创业大厦13层 | ||