发明名称 具有外观隐藏的耦合电极的近接式传感器及其制造方法
摘要 本发明提供一种具有外观隐藏的耦合电极的近接式传感器及其制造方法,近接式传感器至少包括:一封装基板;一感测芯片,设置于封装基板上,用于感测一手指的接近信息;多条封装打线,将封装基板打线连接至感测芯片;至少一打线电极,电连接至感测芯片与封装基板的至少一个;以及一模塑料层,覆盖封装基板、感测芯片、多条封装打线及打线电极,并使打线电极的一部分从模塑料层的一上表面露出,上表面作为一个与手指接触的表面,手指于接触到上表面时也直接耦合至打线电极的这一部分。上述传感器的制造方法也一并揭露。所述传感器可以有效降低封装成本、也能控制传感器的整体美观、缩小传感器的尺寸。
申请公布号 CN104700067A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201410679912.6 申请日期 2014.11.24
申请人 茂丞科技股份有限公司 发明人 张哲玮
分类号 G06K9/00(2006.01)I 主分类号 G06K9/00(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 贾磊
主权项 一种近接式传感器,其特征在于,至少包括:一封装基板;一感测芯片,设置于所述封装基板上,用于感测一手指的接近信息;多条封装打线,将所述封装基板打线连接至所述感测芯片;至少一打线电极,电连接至所述感测芯片与所述封装基板的至少一个;以及一模塑料层,覆盖所述封装基板、所述感测芯片、所述多条封装打线及所述至少一打线电极,并使所述至少一打线电极的一部分从所述模塑料层的一上表面露出,所述上表面作为一个与所述手指接触的表面,所述手指于接触到所述上表面时也直接耦合至所述至少一打线电极的所述一部分。
地址 中国台湾台北市