发明名称 |
一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法 |
摘要 |
一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法,包括如下步骤:1)清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属;2)在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层,并进行前烘;3)在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光;4)对曝光后的HSQ层进行显影定影;5)用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属;6)用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。本发明的方法简单灵活,能够实现金刚石表面大面积的凸球结构制备,在金刚石NV色心单光子器件等方面有潜在应用。 |
申请公布号 |
CN104698514A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201410854544.4 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
唐成春;李俊杰;姜倩晴;顾长志;全保刚;金爱子 |
分类号 |
G02B3/00(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇;王博 |
主权项 |
一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法,包括步骤如下:步骤S1:清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属;步骤S2:在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层,并进行前烘;步骤S3:在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光,曝光图形为周期性圆形阵列;步骤S4:对曝光后的HSQ层进行显影定影,得到周期性柱形硅氧化物掩膜;步骤S5:用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属;步骤S6:用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |