碳化硅的晶体生长方法

摘要

本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si-C溶液内溶出，抑制与Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。从坩埚的上部使SiC籽晶与这种状态的Si-C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。通过使用以SiC为主要成分的坩埚，Si-C溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生。

主权项

一种碳化硅的晶体生长方法，其为利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法，其特征在于，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚，通过加热该坩埚，使源自作为所述坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与所述Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向所述Si‑C溶液内溶出，从所述坩埚的上部使SiC籽晶与所述Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。