| 摘要 |
<p>본 발명은 기판 상에 형성된 전면전극층; 상기 전면전극층 상에 차례로 형성된 P형 반도체층, I형 반도체층, 및 N형 반도체층; 및 상기 N형 반도체층 상에 형성된 후면전극층을 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 I형 반도체층은 상기 P형 반도체층 위에 형성된 제1 I형 반도체층 및 상기 제1 I형 반도체층 위에 형성된 제2 I형 반도체층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지, 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 비정질 실리콘으로 I형 반도체층을 형성할 경우에는 우선 저속으로 비정질 실리콘을 증착하고 그 후에 고속으로 비정질 실리콘을 증착함으로써 I형 반도체층의 열화율이 증가되지 않으면서도 증착시간을 단축할 수 있어 생산성을 증가되는 효과가 있고, 비정질 실리콘 및 미세결정질 실리콘으로 I형 반도체층을 형성할 경우에는 광흡수율이 증가되어 고효율을 달성할 수 있고 종래 탠덤 구조에 비하여 전체 증착공정시간이 단축되고 증착장비수도 감소되며, 버퍼층이 요하지 않고 전류 매칭 등의 문제가 발생하지 않는 장점이 있다.</p> |
