发明名称 | 一种外腔宽条形半导体激光器腔模选择方法 | ||
摘要 | 一种外腔宽条形半导体激光器腔模选择方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量,使高功率宽条形半导体激光器的应用受到限制。本发明采用采用体光栅外腔方法,通过光栅平面法线垂直于表面的体光栅的窄角度光束反馈及外腔长度优化选择,对快轴准直的宽条形大功率半导体激光器芯片的内腔横模进行选择,使小发散角的低阶模受到有效的外腔反馈,从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。该方法可应用于各类宽条形大功率半导体激光器的制造。 | ||
申请公布号 | CN104701732A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
申请号 | CN201410314268.2 | 申请日期 | 2014.07.02 |
申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 高欣;薄报学;乔忠良;张晶;李辉;李特;曲轶 |
分类号 | H01S5/065(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/065(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种外腔宽条形半导体激光器腔模选择方法,其特征在于,采用体光栅外腔方法,通过光栅平面法线垂直于表面的体光栅(3)的窄角度光束反馈及外腔长度优化选择,对快轴(2)准直的宽条形大功率半导体激光器芯片(1)的内腔横模进行选择,使小发散角的低阶模受到有效的外腔反馈,从而改善宽条形大功率半导体激光器的光束质量。 | ||
地址 | 130022 吉林省长春市卫星路7089号 |