| 发明名称 | LDMOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种LDMOS晶体管及其形成方法，所述LDMOS晶体管包括：位于半导体衬底中的体区和漂移区，所述体区和漂移区之间具有间距；位于横跨在所述体区和漂移区上的栅极区；位于所述体区中的源区和位于所述漂移区中的漏区，所述源区和所述漏区分别位于所述栅极区的两侧；位于所述漂移区内且位于所述栅极区和所述漏区之间的第一隔离结构；还包括：位于所述第一隔离结构上的控制极，所述控制极的底部位于所述第一隔离结构内。所述LDMOS晶体管可以在不增加器件尺寸的情况下，提高击穿电压，且降低导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104701366A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310655007.2 | 申请日期 | 2013.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 曹国豪;郑大燮 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种LDMOS晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的体区和漂移区，所述体区和漂移区之间具有间距；横跨在所述体区和漂移区上的栅极区；位于所述体区中的源区和位于所述漂移区中的漏区，所述源区和所述漏区分别位于所述栅极区的两侧；位于所述漂移区内且位于所述栅极区和所述漏区之间的第一隔离结构；其特征在于，还包括：位于所述第一隔离结构上的控制极，所述控制极的底部位于所述第一隔离结构内。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||