一种单晶硅片及单晶硅片减薄方法及应用

摘要

本发明公开了一种单晶硅片及单晶硅片的减薄方法及应用。所述硅片具有小于80um的均匀厚度，并且柔韧而且富有弯曲弹性。所述单晶硅片减薄方法，包括至少对硅片第一面进行机械-化学抛光修整，以及只靠圆片第二面和固定设备的平面支承座间产生的分子真空将圆片悬挂到相对于抛光毡以摆线旋转运动方式驱动的固定设备上。所述单晶硅片可以作为一个半导体功能器件的衬底，应用于集成电路芯片上，使芯片厚度小于80um。本发明所得单晶硅片厚度基本均匀；在承受机械应力时，厚度小于80um的单晶硅片会弯曲，不会破裂；另外，单晶硅片的柔韧性并没有改变单晶硅作为半导体材料的功能；本发明工艺简单易实施，成本低廉，适于规模化生产。

主权项

一种单晶硅片，其特征在于所述硅片具有小于80um的均匀厚度，并且柔韧而且富有弯曲弹性。