| 摘要 |
<p>기판의 주연부의 화학 처리폭의 균일성과 처리 효율 각각의 악화를 억제하면서 화학 처리폭을 좁게 한다. 온도가 높을수록 반응속도가 빨라지는 처리액을 이용하여 기판의 화학 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 기판을 대략 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 기판을 대략 수평면 내에서 회전시키는 회전부와, 기판의 하면의 중앙 부분에 가열용의 수증기를 분사하여 기판을 전체적으로 가열하는 가열부와, 가열부에 의해 가열된 기판의 주연부에 상방으로부터 처리액을 공급하여 주연부의 화학 처리를 행하는 주연 처리부를 구비한다. 기판이 하면으로부터 가열되면서 상면측으로부터 처리액이 공급됨으로써, 주연부 중 기판 단부측의 원하는 좁은 폭의 영역에 상방으로부터 처리액이 공급되면, 화학 처리폭(에칭폭 등)의 균일성과 화학 처리 효율(에칭 레이트 등) 각각의 악화를 억제하면서 화학 처리폭을 좁게 할 수 있다.</p> |
