Sample element of self-assembled lateral quantum dot molecules and producing method thereof, and method for analysis of coulomb interaction signatures using the same

摘要

본 발명의 일 실시 예에 따른 측면 자발형성 양자점 분자 시료 소자는, 하부 단자층 상부에 n-도핑된 GaAs기판; 상기 GaAs기판에 형성된 80nm의 제1 GaAs층; 상기 제1 GaAs층 표면에 성장하여 배열된 InAs QD(Quantum Dot )층; 상기 InAs QD층에 부분적으로 10-monolayer두께의 GaAs로 캡핑되는 캡핑층; 상기 캡핑층 상부에 형성된 제2 GaAs층; 상기 제2 GaAs층 상부에 형성된 50nm 두께의 AlGaAs층; 및, 상기 AlGaAs층 상부에 형성된 제3 GaAs층; 상기 제3 GaAs층 상부에는 8nm로 형성된 Ti 단자층; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.