| 摘要 |
<p>촉매 작용(catalytic)의 벌크 CVD 증착 동안 촉매 재료(catalytic material)의 증착 레이트를 선택적으로 제어하기 위한 방법이 본원에서 개시된다. 방법은, 표면 영역들과 갭 영역들을 모두 포함하는 기판을 프로세싱 챔버 내에 배치하는(positioning) 단계; 텅스텐을 포함하는 제 1 핵형성 층을 상기 기판의 노출된 표면 위에 등각적으로(conformally) 증착하는 단계; 활성화된 질소로 상기 제 1 핵형성 층의 적어도 일부를 처리하는 단계 ― 상기 활성화된 질소는 상기 표면 영역들 상에 우선적으로(preferentially) 증착됨 ― ; 상기 기판의 갭 영역들 내에 우선적으로 텅스텐 충전 층을 증착하기 위해, 텅스텐 할로겐화물(tungsten halide) 및 수소-함유 가스를 포함하는 제 1 증착 가스를 반응시키는 단계; 제 2 핵형성 층을 형성하기 위해, 텅스텐 할로겐화물을 포함하는 핵형성 가스를 반응시키는 단계; 및 텅스텐 필드(field) 층을 증착하기 위해, 텅스텐 할로겐화물 및 수소-함유 가스를 포함하는 제 2 증착 가스를 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.</p> |
