| 摘要 |
<p>워드 라인 상에 한 페이지의 비휘발성 복수-레벨 메모리 셀은 비트 라인들을 통해 감지 증폭기에 의해 병렬로 감지된다. 워드 라인에 인가되는 시간의 증가 함수로서의 소정의 입력 감지 전압은 일거에 메모리 셀의 전체 한 범위의 임계값을 스캐닝할 수 있게 한다. 개개의 셀의 임계값의 감지는 개개의 셀이 도통하게 되는 시간을 알아 둠으로써 시간-영역 감지로 전환된다. 워드 라인 및 비트 라인에서의 지연에 대해 조절된 각각의 도통하는 시간은 셀이 도통하게 될 때 셀에 국부적인 워드 라인의 부분에서 전개되는 감지 전압 레벨을 도출하기 위해 사용될 수 있다. 국부적으로 전개된 감지 전압 레벨은 셀의 임계값을 나타낸다. 이 시간-영역 감지는 복수-레벨 메모리의 레벨의 수에 비교적 무관하므로 일거에 많은 레벨을 신속히 결정한다.</p> |
