Photomask including ion trapping layer and method of manufacturing semiconductor device using the photomask

摘要

이온 트랩막을 포함하는 포토마스크 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 포토마스크는 투명 기판과, 투명 기판 주위에 있는 이온들을 트랩핑하기 위하여 투명 기판의 제1 영역 위에 형성된 이온 트랩막을 포함한다. 본 발명에 따른 방법에 의해 반도체 소자를 제조하기 위하여, 투명 기판상에 이온 트랩막이 형성된 포토마스크를 통하여 기판상의 감광막을 노광하고, 그 결과 얻어진 감광막 패턴을 이용하여 기판을 가공한다.