| 摘要 |
<p>본 실시형태는 기판 베벨 에지 및 챔버 내부와 그 근처에서의 에칭 부산물, 유전체 필름 및 금속 필름을 제거하기 위한 구조 및 메카니즘을 제공하여 폴리머 부산물 및 퇴적된 필름의 축적을 방지하고 프로세스 수율을 향상시킨다. 예시적인 실시형태에서, 기판의 베벨 에지를 세정하기 위해 구성되는 플라즈마 프로세싱 챔버가 제공된다. 플라즈마 프로세싱 챔버는 기판을 수용하도록 구성된 하부 전극을 포함하며, 하부 전극은 고주파 (RF) 전력 공급부에 커플링된다. 또한, 플라즈마 프로세싱 챔버는 하부 전극에 대향하는 절연판을 둘러싸는 상부 에지 전극을 포함한다. 상부 에지 전극은 전기적으로 접지된다. 플라즈마 프로세싱 챔버는 하부 전극을 둘러싸는 하부 에지 전극을 더 포함한다. 하부 에지 전극은 상부 에지 전극에 대향한다. 상부 에지 전극, 하부 전극 상에 배치된 기판, 및 하부 에지 전극은 세정 플라즈마를 생성하도록 구성되어 기판의 베벨 에지를 세정한다. 하부 에지 전극 및 하부 전극은, 하부 전극 상에 배치된 기판, 하부 에지 전극 및 상부 에지 전극 사이를 지나가는 RF 전류량을 조절하기 위해 튜닝할 수 있는 RF 회로를 통해 서로 전기적으로 커플링된다.</p> |
