P型OTP器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种P型OTP器件，其第二个PMOS晶体管的源极包括一第一P型杂质离子注入区，第一P型杂质离子注入区从第二个PMOS晶体管的P型扩散区的边缘处延伸到第二个PMOS晶体管的栅极的底部、并在第二个PMOS晶体管的源极与栅极间形成一第一耦合区域；第一耦合区域的宽度大于各P型轻掺杂区域和对应的栅极形成的第二耦合区域的宽度，第一耦合区域的浓度大于第二耦合区域的浓度。本发明还公开了一种P型OTP器件的制造方法。本发明能使P型OTP器件编程性能得到大幅提高，并能提高编程完之后整个器件的导通电流，增加了器件在编程前后可区分的电流范围；还能减少实现OTP功能的外围电路的面积。

主权项

一种P型OTP器件，由两个PMOS晶体管串联形成的一次性可编程器件，第一个PMOS晶体管作为OTP器件的选通晶体管，第二个PMOS晶体管作为所述OTP器件的存储单元；所述第一个PMOS晶体管的源极和漏极都分别包括形成于N阱中的一P型扩散区和一P型轻掺杂区域，所述第一个PMOS晶体管栅极作为所述OTP器件的字线，所述第一个PMOS晶体管源极作为所述OTP器件的源极；所述第二个PMOS晶体管的栅极为浮空的浮栅，所述第二个PMOS晶体管的源极和漏极都分别包括形成于所述N阱中的一P型扩散区和一P型轻掺杂区域，所述第二个PMOS晶体管的漏极作为所述OTP器件的位线，所述第二个PMOS晶体管的源极与所述PMOS第一个晶体管的漏极共用一个P型扩散区；其特征在于：所述第二个PMOS晶体管的源极还包括一第一P型杂质离子注入区，所述第一P型杂质离子注入区从所述第二个PMOS晶体管的所述P型扩散区的边缘处延伸到所述第二个PMOS晶体管的栅极的底部、并在所述第二个PMOS晶体管的源极与所述第二个PMOS晶体管的栅极间形成一第一耦合区域；所述第一耦合区域的宽度大于各所述P型轻掺杂区域和各所述P型轻掺杂区域对应的所述栅极形成的第二耦合区域的宽度，所述第一耦合区域的浓度大于所述第二耦合区域的浓度；所述第一耦合区域的深度大于所述第二耦合区域的深度；所述第一P型杂质离子注入区的注入角度为零度，所述第一耦合区域的宽度、浓度、深度的值要求保证所述第二个PMOS晶体管的源极与浮栅之间的耦合电容大小满足使所述第二个PMOS晶体管在编程时达到最佳热电子注入条件。