| 发明名称 | 三维堆叠封装芯片中的变压器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种三维堆叠封装芯片中的变压器，包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底一侧的第一电介质层，所述第一电介质层内形成有一第一电感线圈；第二晶圆，包括第二衬底以及位于所述第二衬底一侧的第二电介质层，所述第二电介质层内形成有一第二电感线圈；所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，其中，所述第一电介质层背离所述第一衬底的一侧与所述第二电介质层背离所述第二衬底的一侧相键合，所述第一电感线圈与所述第二电感线圈相对设置。本发明同时提高一种上述电感线圈的制备方法。在上述电感线圈中，能够在不影响电感线圈的自电感的前提下，增加变压器的共振频率。 | ||
| 申请公布号 | CN104681537A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201510005398.2 | 申请日期 | 2015.01.06 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 鞠韶复;朱继锋;梅绍宁 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种三维堆叠封装芯片中的变压器，包括：第一晶圆，包括第一衬底以及位于所述第一衬底一侧的第一电介质层，所述第一电介质层内形成有一第一电感线圈；第二晶圆，包括第二衬底以及位于所述第二衬底一侧的第二电介质层，所述第二电介质层内形成有一第二电感线圈；所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，其中，所述第一电介质层背离所述第一衬底的一侧与所述第二电介质层背离所述第二衬底的一侧相键合，所述第一电感线圈与所述第二电感线圈相对设置。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||