发明名称 一种功率电子器件双面粘接结构及制备方法
摘要 本发明公布了一种功率电子器件双面粘接结构及制备方法。双面粘接结构,在芯片与一侧基板之间设置有金属管层,金属管的数量大于等于2,金属管间的中心间距P大于金属管直径D,金属管长度L小于等于芯片尺寸;两块基板上涂刷的连接材料尺寸大于等于芯片尺寸。该方法是通过在芯片与一侧基板连接处加入银管层来实现。芯片与基板,芯片与银管以及银管与基板之间均采用纳米银焊膏粘接。由于芯片厚度不等造成的封装困难。加入银管层,使得芯片上的应力分布更加均匀;银管易于变形的特点,释放芯片工作过程中产生的应力,起到保护芯片的作用。芯片双面粘接基板结构可同时实现多芯片封装,及不等厚度芯片封装等,提高了结构的封装功率、热性能及可靠性。
申请公布号 CN102915985B 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201210381140.9 申请日期 2012.10.09
申请人 天津大学 发明人 梅云辉;连娇愿;陆国权;陈旭
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一种功率电子器件双面粘接结构的制备方法,其特征是先在两块基板及芯片上分别涂刷焊膏或导电胶,经干燥后,再在其中一块基板的连接材料上,粘接芯片未涂连接材料的一侧,在芯片连接材料上排布金属管,最后将附有连接材料的上基板连接到芯片与金属管及下基板部分,完成芯片双面粘接基板结构;进行连接材料的烧结成型,进行压力辅助烧结,将制成的芯片双面冷却结构放入平板热压机内,施加压力使上下基板平行以便于下一步封装,并同时进一步使管子发生变形,管子横截面变为近似椭圆形;金属管的数量大于等于2,金属管间的中心间距P大于金属管直径D,金属管长度L小于等于芯片尺寸;两块基板上涂刷的连接材料尺寸大于等于芯片尺寸。
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