高压P型LDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种高压P型LDMOS的制造方法，在P型硅衬底上形成掩蔽膜，刻蚀掩蔽膜到硅衬底上表面，形成相隔离的左右两个离子注入选择窗口；经两个离子注入选择窗口进行N型离子注入、扩散而形成一深N阱；进行P型离子注入及扩散，以经扩散交叠而形成的深N阱区域为区域形成p漂移区；形成浅沟槽隔离；进行N离子注入，在所述p漂移区左侧的深N阱上形成N阱；在N阱的右部及p漂移区左部上方形成多晶硅栅；在p漂移区形成漏端，在多晶硅栅左侧的N阱上形成源端。本发明的高压P型LDMOS的制造方法，能使p漂移区-深N阱区的PN结击穿得以提高，并同时改善垂直方向上的P漂移区-深N阱区-P型衬底的穿通问题。

主权项

一种高压P型LDMOS的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在P型硅衬底上形成掩蔽膜，刻蚀掩蔽膜到硅衬底上表面，形成相隔离的左右两个离子注入选择窗口；二.经所述两个离子注入选择窗口进行N型离子注入，在P型硅衬底中形成左右两个N型离子注入区；三.进行N型离子扩散，左右两个N型离子注入区的N型离子经扩散交叠而形成一深N阱；该深N阱，包括左右两个N型离子注入区及左右两个N型离子注入区的N型离子扩散区；四.进行P型离子注入及扩散，以左右两个N型离子注入区之间的N型离子扩散区为中央区域形成p漂移区；五.形成浅沟槽隔离；六.进行N离子注入，在所述p漂移区左侧的深N阱上形成N阱；七.在所述N阱的右部上方及所述p漂移区左部上方形成一多晶硅栅；八.在所述p漂移区形成漏端，在所述多晶硅栅左侧的N阱上形成源端。