| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，安装第一半导体管芯并且它的有源表面面向临时载体。在第一半导体管芯和临时载体上沉积密封剂。除去临时载体以暴露密封剂的第一侧和第一半导体管芯的有源表面。在第一半导体管芯的有源表面上形成掩蔽层。在密封剂的第一侧上形成第一互连结构。所述掩蔽层阻挡在第一半导体管芯的有源表面上形成第一互连结构。除去掩蔽层以在第一半导体管芯的有源表面上形成空腔。在空腔中安装第二半导体管芯。第二半导体管芯以短信号路径电连接到第一半导体管芯的有源表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101996893B | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201010249232.2 | 申请日期 | 2010.08.06 |
| 申请人 | 新科金朋有限公司 | 发明人 | R·A·帕盖拉 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王忠忠 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供临时载体；安装第一半导体管芯，其中它的有源表面面向所述临时载体；在第一半导体管芯和临时载体上沉积密封剂；除去临时载体以暴露密封剂的第一侧和第一半导体管芯的有源表面；在第一半导体管芯的有源表面上形成掩蔽层；在密封剂的第一侧上形成第一互连结构，所述掩蔽层阻挡在第一半导体管芯的有源表面上形成第一互连结构；除去掩蔽层以在第一半导体管芯的有源表面上形成空腔；以及在空腔中安装第二半导体管芯，第二半导体管芯被电连接到第一半导体管芯的有源表面。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||