发明名称 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
摘要 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的薄膜晶体管、显示基板、显示装置制程复杂,制作周期长,良品率低,生产成本高的问题。本发明的通过将保护层与氧化物有源层通过一次构图工艺形成氧化物有源层图形,相对与现有技术节省了一次构图工艺,使薄膜晶体管的制程简单、周期短、良品率高、生产成本低;在含氧气氛下进行退火,能够修复形成源、漏电极时等离子对氧化物有源层造成的损伤,同时,氧化物有源层和保护层在两者相接触的一侧各形成一过渡区域,能够降低薄膜晶体管的关态电流。
申请公布号 CN103985639B 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201410174409.5 申请日期 2014.04.28
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 赵策
分类号 H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L21/34(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 柴亮;张天舒
主权项 一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:在基板上形成氧化物有源层薄膜、保护层薄膜,所述保护层薄膜材料为氧化锡系材料,采用一次构图工艺同时对氧化物有源层薄膜、保护层薄膜进行处理,形成氧化物有源层、保护层的图形;在保护层上形成源、漏电极薄膜,通过构图工艺对源、漏电极薄膜进行处理,形成源、漏电极的图形;在含氧气氛下进行退火,所述氧化物有源层和保护层在两者接触面发生相互扩散,在所述接触面的两侧至少各形成一过渡区域,所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。
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