发明名称 一种制备不同晶相的硫化锌/双亲苝酰亚胺混杂半导体材料的方法
摘要 本发明首次利用结构新颖的两种双亲苝酰亚胺衍生物(PDI-OH和PDI-2OH),将其在ZnSO<sub>4</sub>亚相溶液中制备成自组装膜,然后在饱和硫化氢溶液中浸泡不同的时间,成功制备了不同晶相,粒径尺寸分别为5、10、15和20纳米的ZnS/PDI混杂粒子。并用各种现代手段对其结构、形貌及半导体性质进行了全面细致的表征测试。该方法操作简单,反应过程易于控制,在室温及水相中进行,制备条件温和,成本低廉,易于实现。
申请公布号 CN104674348A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201310631104.8 申请日期 2013.12.02
申请人 济南大学 发明人 陈艳丽;宋金刚
分类号 C30B29/46(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I 主分类号 C30B29/46(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制备不同晶相ZnS/双亲苝酰亚胺混杂材料的方法,其特征在于将结构新颖的两种含有不同数量羟基取代基的双亲苝二酰亚胺衍生物的二氯甲烷溶液加入到培养皿中,然后将ZnSO<sub>4</sub> 水溶液亚相缓慢的加入到二氯甲烷溶液的表面,在溶剂蒸发过程中,两种PDI分子会逐渐的在CH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>‑亚相的界面上自组装形成优良的纳米结构,待CH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>挥发完全,致密堆积的薄膜会保留在ZnSO<sub>4</sub>亚相表面上,用基片通过水平提拉的方法将薄膜取出来,将该Zn<sup>2+</sup>/PDI单层膜浸入到事先配置的H<sub>2</sub>S饱和溶液中,浸泡不同时间,成功得到了不同尺寸、晶相各异、优异半导体性质的ZnS/PDI混杂纳米粒子,该制备方法的特征在于所选用的苝酰亚胺化合物是<i>N</i>‑己基‑<i>N</i><i>’</i>‑(1‑苯基‑4‑氨基乙醇)‑1,7‑二(4‑叔丁基苯氧基)‑3,4:9,10‑苝二酰亚胺(PDI‑OH)和<i>N,N</i><i>’</i>‑二(1‑苯基‑4‑氨基乙醇)‑1,7‑二(4‑叔丁基苯氧基)‑3,4:9,10‑苝二酰亚胺(PDI‑2OH)。
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