| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。所述氧化物薄膜晶体管包括：有源层；设置在所述有源层上方的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上方的保护层，所述保护层覆盖所述源极、所述漏极和所述有源层上位于所述源极和所述漏极之间的部分，其中，所述源极和漏极的表面与所述保护层之间设置有防氧化层，所述防氧化层用于防止用于形成所述保护层的等离子体与所述源极和漏极接触。 | ||
| 申请公布号 | CN104681626A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201510094564.0 | 申请日期 | 2015.03.03 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管，包括：有源层；设置在所述有源层上方的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上方的保护层，所述保护层覆盖所述源极、所述漏极和所述有源层上位于所述源极和所述漏极之间的部分，其特征在于，所述源极和漏极的表面与所述保护层之间设置有防氧化层，所述防氧化层用于防止用于形成所述保护层的等离子体与所述源极和漏极接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||