发明名称 |
一种介孔结构的染料敏化太阳能电池光阳极 |
摘要 |
本实用新型公开了一种介孔结构的染料敏化太阳能电池光阳极,包括导电基板,导电基板上覆盖有导电膜,导电膜上覆盖有致密半导体底层,致密半导体底层上设置有半导体膜,半导体膜中间隔设置有两个或两个以上大孔,大孔垂直于致密半导体底层向上穿透半导体膜设置,在半导体膜中还间隔设置有两个或两个以上介孔,介孔平行于致密半导体底层水平穿透半导体膜设置。本实用新型介孔结构的光阳极有效作用面积大,孔隙连通性好,半导体粒子连接紧密,电解质的迁移和电荷的传输路径短。 |
申请公布号 |
CN204375576U |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201420719353.2 |
申请日期 |
2014.11.25 |
申请人 |
西安理工大学 |
发明人 |
赵紫辰;赵敬忠 |
分类号 |
H01G9/20(2006.01)I;H01G9/048(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/20(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
李娜 |
主权项 |
一种介孔结构的染料敏化太阳能电池光阳极,其特征在于,包括导电基板(1),导电基板(1)上覆盖有导电膜(2),导电膜(2)上覆盖有致密半导体底层(3),致密半导体底层(3)上设置有半导体膜(6),半导体膜(6)中间隔设置有两个或两个以上大孔(4),大孔(4)垂直于致密半导体底层(3)向上穿透半导体膜(6)设置,在半导体膜(6)中还间隔设置有两个或两个以上介孔(5),介孔(5)平行于致密半导体底层(3)水平穿透半导体膜(6)并将相邻的两个大孔(4)连通。 |
地址 |
710048 陕西省西安市金花南路5号 |