| 发明名称 | 具有减小的通向电压的肖特基二极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有减小的通向电压的肖特基二极管。半导体器件，包括第一导电类型的半导体本体和在半导体本体处的金属层，其中金属层与半导体本体一起沿着接触面构成肖特基接触。第一导电类型的掺杂浓度在接触面处沿着接触面的方向变化。 | ||
| 申请公布号 | CN104681637A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410688269.3 | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J. P. 康拉特;R. 鲁普;H-J. 舒尔策 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;胡莉莉 |
| 主权项 | 半导体器件，包括：第一导电类型的半导体本体；在半导体本体处的金属层，其中金属层与半导体本体一起沿着接触面构成肖特基接触，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向变化。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||