| 发明名称 | 氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种导热率高的氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置。本发明的氮化硅质烧结体具有氮化硅的结晶、MgRE<sub>4</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>13</sub>的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi<sub>2</sub>O<sub>5</sub>N的结晶，因此具有高导热率。另外，具备包含这样的氮化硅质烧结体的保护管的加热装置能够高效传导加热器的热。而且，具备包含这样的氮化硅质烧结体的吸附构件的吸附装置能够将被吸附体所具有的热高效地散热。 | ||
| 申请公布号 | CN104684870A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201380050338.1 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 大田瑞穗;石川和洋;织田武广 |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I;F27D11/02(2006.01)I;H05B3/14(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/584(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种氮化硅质烧结体，其特征在于，具有氮化硅的结晶、MgRE<sub>4</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>13</sub>的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi<sub>2</sub>O<sub>5</sub>N的结晶。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||