| 发明名称 | 半导体静电放电保护装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体静电放电保护装置，包括：第一电性晶体管、第二电性阱区、第二电性保护环以及半导体间隔区。第一电性晶体管，形成于第二电性阱区之中。第二电性保护环，围绕第一电性晶体管。半导体间隔区，位于第一电性晶体管和第二电性保护环之间，并围绕第一电性晶体管，且半导体间隔区为无掺杂区、第一电性掺杂区或掺杂浓度小于第二电性阱区的第二电性掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN104681542A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310628550.3 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈俞均;王畅资;唐天浩 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体静电放电保护装置，包括:第一晶体管具有第一电性，形成于一第二电性阱区之中；第二电性保护环，围绕该第一晶体管；以及半导体间隔区，位于该第一晶体管和该第二电性保护环之间，并围绕该第一晶体管，且该半导体间隔区为无掺杂区、第一电性掺杂区或掺杂浓度小于该第二电性阱区的第二电性掺杂区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||