发明名称 |
无缝集成的金属基底/纳米多孔金属/金属氧化物复合电极材料的制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种无缝集成的金属基底/纳米多孔金属/金属氧化物复合材料的制备方法和应用。本发明提供的无缝集成的复合材料是按照以下步骤制备的:a、将金属基底依次在酸性溶液、去离子水和乙醇中充分清洗,真空干燥;b、在金属基底上用磁控溅射的方法沉积一层合金膜得到结构A;c、将结构A在腐蚀性溶液中去合金化,得到无缝集成的金属基底/纳米多孔金属结构;d、用去离子水漂洗去除无缝集成的金属基底/纳米多孔金属结构中残余的酸,并真空干燥得到结构B;e、将结构B放置于反应环境中反应后真空干燥,得到无缝集成的金属基底/纳米多孔金属/金属氧化物复合电极。该复合电极可作为能量存储器件电极材料应用。 |
申请公布号 |
CN103325999B |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201310192869.6 |
申请日期 |
2013.05.22 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
郎兴友;侯超;赵林林;文子;朱永福;赵明;李建忱;蒋青 |
分类号 |
H01M4/36(2006.01)I;H01G11/30(2013.01)I |
主分类号 |
H01M4/36(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
朱世林;王寿珍 |
主权项 |
一种无缝集成的金属基底/纳米多孔金属/金属氧化物复合电极材料的制备方法,包括以下步骤:室温下,在基底铜箔上用磁控溅射的方法沉积厚度为800nm的Cu<sub>30</sub>Mn<sub>70</sub>合金膜,铜箔尺寸规格为3cm*2cm*15μm,溅射功率为200W,时间定为20min;基底铜箔物理沉积前依次在1M HCl溶液、18.6MΩ·cm的去离子水和乙醇中充分清洗;然后,室温下,把Cu<sub>30</sub>Mn<sub>70</sub>合金膜在10mM HCl溶液中化学去合金化,时间定为5小时,得到铜基底/纳米多孔铜结构;最后,用去离子水漂洗去除纳米多孔铜中残余的酸;将10mM KMnO<sub>4</sub>和25mM KOH的混合溶液充分搅拌均匀;然后,将无缝集成的铜基底/纳米多孔铜电极材料横放在配置溶液中央,使有纳米多孔铜结构的一侧朝上,并使上表面充分接触溶液;将该溶液放置在干净的实验台上,密封在充满水合肼氛围的空间中,30min后室温反应得到无缝集成的铜基底/纳米多孔铜/MnO<sub>2</sub>的复合电极材料。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |