| 主权项 |
一种非挥发性记忆体，包括：第一记忆胞，设置于基底上，所述第一记忆胞，包括：堆叠结构，包括依序设置于所述基底上的闸介电层、辅助闸极、绝缘层以及抹除闸极；浮置闸极，设置于所述堆叠结构的第一侧的侧壁，且所述浮置闸极的顶部具有转角部，所述转角部邻近所述抹除闸极，且所述转角部高度落于所述抹除闸极高度间；穿隧介电层，设置于所述浮置闸极与所述基底之间；抹除闸介电层，设置于所述抹除闸极与所述浮置闸极之间；辅助闸介电层，设置于所述辅助闸极与所述浮置闸极之间；源极区与汲极区，分别设置于所述堆叠结构与所述浮置闸极两侧的所述基底中，其中所述源极区邻接所述浮置闸极，所述汲极区邻接所述堆叠结构的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相对；控制闸极，设置于所述源极区与所述浮置闸极上；以及闸间介电层，设置于所述控制闸极与所述浮置闸极之间。 |
