发明名称 软性半导体装置之制造方法
摘要
申请公布号 TWI487020 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW098139316 申请日期 2009.11.19
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 江口晋吾;及川欣聪;片山雅博;中村亚美;门马洋平
分类号 H01L21/306;H01L21/77 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种软性半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在基板上形成剥离层;在该剥离层上形成半导体元件;在该半导体元件上形成树脂层;使用蚀刻液以溶解该剥离层;以及从该基板分离该半导体元件,其中该蚀刻液是氨-过氧化氢的混合溶液。
地址 日本