不具有牺牲间隔件而通过覆盖层移除所形成的高介电系数金属闸极电极结构

主权项

一种制造半导体装置的方法，包含：在第一闸极电极结构形成在第一电晶体的第一作用区域上的情况下，在该第一作用区域中形成应变诱发半导体材料，同时以第一间隔件层覆盖第二电晶体的第二作用区域及形成于该第二作用区域上的第二闸极电极结构，该第一闸极电极结构包含第一间隔件及第一介电覆盖层，而该第二闸极电极结构包含第二介电覆盖层；在形成该应变诱发半导体材料后，在该第一及第二作用区域上方形成第二间隔件层；选择性地修改该第二介电覆盖层，以增加该第二介电覆盖层的蚀刻率；移除该第一及第二介电覆盖层；以及在该第一及第二作用区域中形成漏极和源极区域。