半导体装置和其制造方法

主权项

一种半导体装置，包含：在具有绝缘表面的基板上的闸极电极层；在该闸极电极层上的闸极绝缘层；在该闸极绝缘层上的包含通道形成区的第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层含有铟、镓以及锌；以及在该第一氧化物半导体层上的源极电极层和汲极电极层，其中该通道形成区含有从由金、钼、钨、铌以及钽组成的组中选择的至少一种金属元素。