| 发明名称 |
铜膜形成方法;COPPER BASE FILM-FORMING METHOD |
| 摘要 |
本发明提供一种铜膜形成技术，该技术系超临界流体中之分解温度较低，不会发生混入C、O从而使铜膜品质下降等问题，可容易地形成高品质的铜膜。本发明系一种铜膜形成方法，系于超临界流体中在基体上形成铜膜之方法，其中系将(N,N'-二异丙基丙脒)铜二聚物溶解于超临界流体中，并使铜沈积于基体上而形成铜膜。 |
| 申请公布号 |
TW201520360 |
申请公布日期 |
2015.06.01 |
| 申请号 |
TW103138741 |
申请日期 |
2014.11.07 |
| 申请人 |
气相成长股份有限公司 GAS-PHASE GROWTH LTD. |
发明人 |
近藤英一 KONDOH, EIICHI;町田英明 MACHIDA, HIDEAKI;石川真人 ISHIKAWA, MASATO;须藤弘 SUDOH, HIROSHI |
| 分类号 |
C23C16/44(2006.01);C23C16/448(2006.01);C23C16/18(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/3205(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖正健陈家辉 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
