发明名称 半导体装置及非挥发性半导体记忆装置
摘要 本发明提供一种使可靠性提升之半导体装置及非挥发性半导体记忆装置。;实施形态之半导体装置(1)具备配线基板(2)、电子零件(3)及树脂密封部(4)。配线基板(2)包括设置于绝缘基材上之第1及第2连接垫(22)、(23)、以及阻焊剂层(25)。电子零件(3)包括沿着零件主体(31)之对向之2条外形边配置之第1连接部、及设置于零件主体之包含部之区域之第2连接部。于阻焊剂层(25)形成有第1开口部(26)及第2开口部(27),该第1开口部(26)系使第1连接垫(22)露出,该第2开口部(27)系以使第2连接垫(23)露出并且伸出至零件主体(31)之外形边之外侧的方式开口。
申请公布号 TW201521241 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW103123049 申请日期 2014.07.03
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 谷本亮 TANIMOTO, AKIRA;渡部武志 WATANABE, TAKESHI;唐金佑次 KARAKANE, YUJI;片村幸雄 KATAMURA, YUKIO;村上克也 MURAKAMI, KATSUYA;小泽勋 OZAWA, ISAO
分类号 H01L33/52(2010.01);H01L35/08(2006.01) 主分类号 H01L33/52(2010.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP