矽膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形状之控制方法;SILICON FILM FORMING METHOD, THIN FILM FORMING METHOD AND CROSS-SECTIONAL SHAPE CONTROL METHOD

摘要

本发明提供一种矽膜之成膜方法、薄膜之成膜方法及剖面形状之控制方法，该矽膜之成膜方法，在具有被处理面之被处理体上，将矽膜成膜，其包含如下程序：（1）对该被处理面上，供给分子式中含有2个以上的矽之高次胺基矽烷系气体，将矽吸附于该被处理面上以形成种晶层的程序；以及（2）对该种晶层上，供给不含胺基之矽烷系气体，使矽沉积于该种晶层上以形成矽膜的程序；其中，使该（1）程序中之处理温度为350℃以下室温（25℃）以上的范围。; and forming a silicon film by supplying a silane-based gas not containing an amino group onto the seed layer and by depositing silicon onto the seed layer, wherein, when forming a seed layer, a process temperature is set within a range of 350 degrees C or lower and a room temperature or higher.