发明名称 半导体结构及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI487092 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW100105314 申请日期 2011.02.17
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈士弘;吕函庭;萧逸璿
分类号 H01L27/10;H01L21/822 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼
主权项 一种半导体结构,包括:一基底;一第一堆叠结构与一第二堆叠结构,配置于该基底上,其中该第一堆叠结构与该第二堆叠结构的各个系包括交错堆叠的导电条纹与绝缘条纹,该导电条纹系藉由该绝缘条纹分开;一介电元件,配置于该第一堆叠结构与该第二堆叠结构上且包括一第二介电部分,其中该第一堆叠结构与该第二堆叠结构系仅藉由该第二介电部分互相隔开,该介电元件之下表面位于该基底之上表面的下方;以及一导电线,配置于该第一堆叠结构与该第二堆叠结构之远离该第二介电部分的堆叠侧壁上,其中该介电元件系介于该导电线与该第一堆叠结构之间且介于该导电线与该第二堆叠结构之间。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号