发明名称 半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 本发明之目的在于抑制半导体装置的特性变动。为了达成上述目的,在配置成互相平行的导体图案CPA与导体图案CPB中,导体图案CPA分割成第1部分P1(A)与第2部分P2(A),且导体图案CPB亦分割成第1部分P1(B)与第2部分P2(B)。然后,导体图案CPA的第1部分P1(A)与导体图案CPB的第2部分P2(B)同样以第1遮罩的第1图案成形形成,另一方面,导体图案CPA的第2部分P2(A)与导体图案CPB的第1部分P1(B)同样以第2遮罩的第2图案成形形成。
申请公布号 TW201521084 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW103131618 申请日期 2014.09.12
申请人 瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 发明人 渡边哲也 WATANABE, TETSUYA
分类号 H01L21/027(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋周良吉
主权项
地址 日本 JP