发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
摘要 |
本发明之目的在于抑制半导体装置的特性变动。为了达成上述目的,在配置成互相平行的导体图案CPA与导体图案CPB中,导体图案CPA分割成第1部分P1(A)与第2部分P2(A),且导体图案CPB亦分割成第1部分P1(B)与第2部分P2(B)。然后,导体图案CPA的第1部分P1(A)与导体图案CPB的第2部分P2(B)同样以第1遮罩的第1图案成形形成,另一方面,导体图案CPA的第2部分P2(A)与导体图案CPB的第1部分P1(B)同样以第2遮罩的第2图案成形形成。 |
申请公布号 |
TW201521084 |
申请公布日期 |
2015.06.01 |
申请号 |
TW103131618 |
申请日期 |
2014.09.12 |
申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
渡边哲也 WATANABE, TETSUYA |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
周良谋周良吉 |
主权项 |
|
地址 |
日本 JP |