| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltkreisstruktur, gekennzeichnet durch die Schritte: Herstellen (100) einer ersten Öffnung (234) in einem Substrat (200), Ausfüllen (104) der ersten Öffnung (234) mit mindestens einem Füllmaterial (220); Herstellen einer oder mehrerer Strukturen (218, 212) auf und/oder in dem Substrat (200); Strukturieren (106) eines Schutzmaterials (222) über dem Substrat (200), wobei das Schutzmaterial (222) eine Prozess-Kontrollmarkierung (204) und eine oberhalb der ersten Öffnung liegende zweite Öffnung (206) aufweist, die mit der ersten Öffnung (234) ausgerichtet ist; und Entfernen (110) des Füllmaterials aus der ersten Öffnung (234) durch die zweite Öffnung (206) in dem Schutzmaterial (222), wobei die Prozess-Kontrollmarkierung (204) sich oberhalb der Strukturen (218, 212) befindet und derart an diesen ausgerichtet ist, dass Teile des Substrats unterhalb der Prozess-Kontrollmarkierung (204) beim Entfernen des Füllmaterials (220) nicht beeinflusst werden.</p> |
