| 摘要 |
<p>原子層堆積リソグラフィプロセスを実行するための方法及び装置が、本開示において提供される。一実施形態では、デバイス内の材料層上にフィーチャを形成するための方法は、基板表面上に材料層の第１単原子層を形成するために、処理チャンバ内に配置された基板の表面に第１反応ガス混合物をパルス供給する工程と、第１単原子層の第１領域を処理するために、エネルギー照射を向ける工程と、第１単原子層の第２領域上に第２単原子層を選択的に形成するために、基板表面に第２反応ガス混合物をパルス供給する工程を含む。</p> |
