| 发明名称 | 一种低功耗超宽带低噪声放大器 | ||
| 摘要 | 一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M<sub>1</sub>)构成的共源输入放大级，可以使得第二MOS管(M<sub>2</sub>)的跨导增强，在实现输入匹配和噪声匹配的同时，实现高增益；第二MOS管(M<sub>2</sub>)的负载采用并联峰化电感L<sub>3</sub>和电阻R<sub>6</sub>，为电路系统提供一个零点，增加了电路系统的稳定性，并拓展其带宽；第一MOS管(M<sub>1</sub>)、第二MOS管(M<sub>2</sub>)、第三MOS管(M<sub>3</sub>)和第四MOS管(M<sub>4</sub>)构成多级电流复用结构，实现了低功耗。本发明提供了一种在2～5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。 | ||
| 申请公布号 | CN104660185A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510051759.7 | 申请日期 | 2015.02.01 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 张万荣;陈鹏辉;金冬月;谢红云;赵飞义;邓蔷薇 |
| 分类号 | H03F1/42(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 刘萍 |
| 主权项 | 一种低功耗超宽带低噪声放大器，其特征在于：该低功耗超宽带低噪声放大器包括：第一MOS管(M<sub>1</sub>)，第二MOS管(M<sub>2</sub>)，第三MOS管(M<sub>3</sub>)，第四MOS管(M<sub>4</sub>)；第一电阻(R<sub>1</sub>)，第二电阻(R<sub>2</sub>)，第三电阻(R<sub>3</sub>)，第四电阻(R<sub>4</sub>)，第五电阻(R<sub>5</sub>)，第六电阻(R<sub>6</sub>)；第一电感(L<sub>1</sub>)，第二电感(L<sub>2</sub>)，第三电感(L<sub>3</sub>)，第四电感(L<sub>4</sub>)；第一电容(C<sub>1</sub>)，第二电容(C<sub>2</sub>)，第三电容(C<sub>3</sub>)，第四电容(C<sub>4</sub>)，第五电容(C<sub>5</sub>)；第一电压源(V<sub>1</sub>)，第二电压源(V<sub>2</sub>)，第三电压源(V<sub>3</sub>)，第四电压源(V<sub>4</sub>)，第五电压源(V<sub>dc</sub>)；其中第一MOS管(M<sub>1</sub>)的栅极同时连接第一电容(C<sub>1</sub>)的第一端以及第一电阻(R<sub>1</sub>)的第二端，第一MOS管(M<sub>1</sub>)的源极连接第一电感(L<sub>1</sub>)的第二端，第一MOS管(M<sub>1</sub>)的漏极同时连接第二电感(L<sub>2</sub>)的第一端和第三电容(C<sub>3</sub>)的第一端，第二电感(L<sub>2</sub>)的第二端连接第五电阻(R<sub>5</sub>)的第一端，第五电阻(R<sub>5</sub>)的第二端同时连接第六电阻(R<sub>6</sub>)的第一端以及第四电容(C<sub>4</sub>)的第一端；第二MOS管(M<sub>2</sub>)的栅极同时连接第二电阻(R<sub>2</sub>)的第二端以及第三电容(C<sub>3</sub>)的第二端，第二MOS管(M<sub>2</sub>)的漏极同时连接第二电容(C<sub>2</sub>)的第二端以及第三电感(L<sub>3</sub>)的第二端，第三电感(L<sub>3</sub>)的第一端连接第六电阻(R<sub>6</sub>)的第二端，第二MOS管(M<sub>2</sub>)的源极同时连接第一电容(C<sub>1</sub>)的第二端以及第四电感(L<sub>4</sub>)的第一端；第三MOS管(M<sub>3</sub>)的栅极同时连接第三电阻(R<sub>3</sub>)的第二端以及第二电容(C<sub>2</sub>)的第一端，第三MOS管(M<sub>3</sub>)的的漏极同时连接第四电感(L<sub>4</sub>)的第二端以及第五电容(C<sub>5</sub>)的第一端，第三MOS管(M<sub>3</sub>)的源极连接第四MOS管(M<sub>4</sub>)的漏极；第四MOS管(M<sub>4</sub>)的栅极连接第四电阻(R<sub>4</sub>)的第二端；第一电阻(R<sub>1</sub>)的第一端连接第一电压源(V<sub>1</sub>)；第二电阻(R<sub>2</sub>)的第一端连接第二电压源(V<sub>2</sub>)，第三电阻(R<sub>3</sub>)的第一端连接第三电压源(V<sub>3</sub>)；第四电阻(R<sub>4</sub>)的第一端连接第四电压源(V<sub>4</sub>)；第一电感(L<sub>1</sub>)的第一端连接第五电压源(V<sub>dc</sub>)；第四电容(C<sub>4</sub>)的第二端、第五电容(C<sub>5</sub>)的第二端以及第四MOS管(M<sub>4</sub>)的源极都连接接地端；其中，第二MOS管(M<sub>2</sub>)的源极和第一电容(C<sub>1</sub>)连接信号输入端，第三MOS管(M<sub>3</sub>)的源极和第四MOS管(M<sub>4</sub>)的漏极连接信号输出端。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||