发明名称 |
提取LOD效应模型的方法 |
摘要 |
本发明提出了一种提取LOD效应模型的方法,在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数,接着,将不同的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中,再进行整合,接着,对与预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改,修改后再进行测试参数的目标重设,从而获得最终的LOD效应模型,实现对不同尺寸的MOS管同时进行LOD效应模型的准确提取,减少误差。 |
申请公布号 |
CN104657558A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201510091616.9 |
申请日期 |
2015.02.28 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
廖梦星;张昊 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种提取LOD效应模型的方法,其特征在于,包括步骤:提取初始MOS管模型;在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数,所述不同尺寸MOS管对应不同应力参考值,所述应力参考值包括一预设参考值;将不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中;将不同尺寸MOS管的LOD效应模型进行整合获得整合后的LOD效应模型;对整合后的LOD效应模型中与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改;对与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管进行测试参数的目标重设后,获得最终的LOD效应模型。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |