| 发明名称 | 一种台阶阵列阴极真空微电子压力传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种台阶阵列阴极真空微电子压力传感器，所述的传感器由阳极压力敏感膜、具有台阶的阴极、绝缘层和真空腔构成。传统的真空微电子压力传感器虽具有灵敏度高、温度稳定性好和抗辐射等优点，但由于传感器的阴极发射尖锥是分布在同一平面上，因而灵敏度的提高和量程的扩展都受到了限制。本发明的台阶阵列阴极真空微电子压力传感器，其特点是阴极有一个台阶，发射尖锥分布在台阶上下，有效地提高了传感器的灵敏度和量程。 | ||
| 申请公布号 | CN104655350A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310578605.4 | 申请日期 | 2013.11.15 |
| 申请人 | 大连康赛谱科技发展有限公司 | 发明人 | 鞠洪建 |
| 分类号 | G01L9/00(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种台阶阵列阴极真空微电子压力传感器，其特征在于：包括阳极压力敏感膜（1）；尖锥阵列阴极（2）；在阳极压力敏感膜（1）与尖锥阵列阴极（2）之间的真空腔（3）；阳极压力敏感膜（1）与尖锥阵列阴极（2）封接处的绝缘层（4），阴极呈台阶状。 | ||
| 地址 | 116021 辽宁省大连市高新技术产业园区七贤岭敬贤街23号 | ||