发明名称 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
摘要 <p>【課題】サセプタとシャワーヘッドの間の温度差を抑制する。【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に配置され基板を載置する基板載置面を表面に有すると共に第1のヒータを有する基板載置部と、第2のヒータを有するとともに基板載置面と対向する位置に設けられ基板載置面と対向する対向面を有するシャワーヘッドと、シャワーヘッドを介して基板載置面に載置された基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給系と、処理室内の雰囲気を排出する排気系と、基板載置面に基板を載置した後、処理ガス供給系から処理ガスが供給されるときに、基板載置部の温度を所定の温度とし、対向面と基板載置部の温度差を所定の範囲内とするよう、第1のヒータの出力及び第2のヒータの出力を制御する制御部と、を有するように基板処理装置を構成する。【選択図】図1</p>
申请公布号 JP5726281(B1) 申请公布日期 2015.05.27
申请号 JP20130270651 申请日期 2013.12.27
申请人 发明人
分类号 C23C16/46;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/31 主分类号 C23C16/46
代理机构 代理人
主权项
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