发明名称 面积高效的压力感测装置
摘要 本发明涉及面积高效的压力感测装置。提供具有包含由框架支撑的隔膜的压力传感器的压力感测装置的电路、方法和设备。所述压力传感器可以被安装在专用集成电路上。通道可以从下侧到其上侧贯穿所述专用集成电路,在上侧处所述通道可以终止于在所述隔膜下方形成的腔体内。可以在第二晶片部分中形成电路元件并且电路元件位于不在第一晶片部分之下的区域中。可以在所述第二晶片中的位于第一晶片部分之下的区域中形成电路元件,诸如位于所述框架之下或位于所述隔膜之下。可以在所述第二晶片内形成电路元件,从而使得电路元件部分地位于所述第一晶片部分之下,或者部分地位于所述框架之下或者部分地位于所述隔膜的下方。
申请公布号 CN104655351A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201410833192.4 申请日期 2014.11.21
申请人 硅微结构股份有限公司 发明人 H·多尔英
分类号 G01L9/00(2006.01)I;G01L9/02(2006.01)I;G01L1/20(2006.01)I 主分类号 G01L9/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 申发振
主权项 一种压力感测装置,包括:第一晶片部分,所述第一晶片部分包括在所述第一晶片部分的顶面中形成的隔膜,所述隔膜被框架支撑,所述隔膜和所述框架形成腔体;以及第二晶片部分,所述第二晶片部分在所述框架的底部被附接到所述第一晶片部分的底面,所述第二晶片具有从底面到顶面的通道,所述通道被对准,从而使得所述第二晶片的顶面处的所述通道的开口位于所述第一晶片部分的所述隔膜之下。
地址 美国加利福尼亚