晶圆处理方法

摘要

一种晶圆处理方法，包括：提供承载基底和待处理基底，待处理基底的第一表面键合于承载基底表面，待处理基底具有位于边缘的标记区，待处理基底标记区内的第一表面具有第一标记沟槽，第一标记沟槽具有到待处理基底中心距离最近的第一侧壁，第一侧壁到待处理基底边界具有第一距离，第一标记沟槽具有到待处理基底边界距离最近的第二侧壁，第二侧壁到待处理基底边界具有第二距离；对待处理基底进行第一修边工艺，使待处理基底的半径减小第三距离，并去除部分第一标记沟槽；在第一修边工艺之后，对待处理基底进行第二修边工艺，去除剩余的第一标记沟槽；在第二修边工艺之后，对待处理基底的第二表面进行减薄。

主权项

一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：提供承载基底和待处理基底，所述待处理基底的第一表面键合于所述承载基底表面，且所述待处理基底和承载基底的边缘重合，所述待处理基底的边缘具有标记区，所述待处理基底标记区内的第一表面具有第一标记沟槽，所述第一标记沟槽具有到所述待处理基底中心距离最近的第一侧壁，所述第一侧壁到所述待处理基底边界具有第一距离，所述第一标记沟槽具有到所述待处理基底边界距离最近的第二侧壁，所述第二侧壁到所述待处理基底边界具有第二距离；对所述待处理基底进行第一修边工艺，使所述待处理基底的半径减小第三距离，暴露出部分承载基底，并去除部分第一标记沟槽，所述第三距离小于或等于第一距离、大于或等于第二距离；在第一修边工艺之后，对所述待处理基底进行第二修边工艺，去除标记区内的部分待处理基底以去除剩余的第一标记沟槽，并形成第三侧壁，且暴露出部分承载基底，所述第三侧壁到承载基底边缘的最大距离大于第一距离；在第二修边工艺之后，对所述待处理基底的第二表面进行减薄，所述第二表面与第一表面相对。